تحلیل الکترونیکی و اپتیکی نانولولههای کربید ژرمانیوم تحت تنش با رویکرد نظریه تابع چگالی
حمیدرضا البرزنیا، قباد محمد کریمی
چکیده در این پژوهش، خواص الکترونیکی و اپتیکی نانولولههای کربید ژرمانیوم (GeCNTs) با شاخصهای مختلف و تحت اعمال تنش، با استفاده از محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی (DFT) و در چارچوب تقریب PBE-GGA بررسی شده است. نتایج نشان میدهد که نانولوله با شاخص (5,0) دارای شکاف نواری مستقیم نزدیک به صفر و رفتار شبهفلزی است، در حالی که نانولوله (10,0) یک نیمهرسانای با شکاف نواری مستقیم 1.29 الکترونولت است. همچنین بررسی خواص اپتیکی در قطبش خارج از صفحه نشان میدهد که مهمترین گذارهای اپتیکی در بازه انرژی 1.5تا 4 الکترونولت رخ میدهند و تغییر شاخص و اعمال تنش هیدرواستاتیکی موجب تغییر محسوس در پاسخ اپتیکی این نانوساختارها میشود. نتایج این پژوهش نشان میدهد که نانولولههای GeCNT به دلیل قابلیت تنظیم خواص الکترونیکی و اپتیکی، گزینهای مناسب برای کاربرد در حسگرهای اپتیکی، ادوات فوتونیکی و آشکارسازهای فروسرخ، بهویژه در سامانههای هوافضا و دفاعی، هستند.








