مجله دفاع هوافضایی

چکیده طیف امواج الکترومغناطیسی در باند ku تأثیرات زیادی بر تجهیزات و نیروی انسانی دارد. برای محافظت از تجهیزات الکترونیکی در مقابل این طیف از امواج، روش‌های زیادی بکار رفته است. در این مقاله با استفاده از پلاسمای سرد یکنواخت و غیریکنواخت که از سه لایه مستطیلی شکل تشکیل شده است استفاده می‌شود. هر لایه پلاسما دارای پارامترهای تفکیک شده مانند ضخامت، فرکانس برخورد، خاصیت مغناطیسی، چگالی متغیر و زاویه تابش موج می‌باشند. موج ورودی الکترومغناطیسی دارای قطبش p تحت زوایای مختلف در باند ku در نظر گرفته می‌شود. با حل معادلات موج و محاسبه ضریب پذیرفتاری در تک لایه و سه لایه پلاسمایی، مقدار بهینه مجموع جذب و انعکاس محاسبه می‌شود. سپس با استفاده از نرم‌افزار متمتیکا نمودارها برحسب پارامترهای ذکر شده در تیغه تک لایه و تیغه سه لایه رسم می‌شوند و با استفاده از این نمودارها به مقایسه ضریب محافظت cop در حالت‌های تک لایه و سه لایه با در نظر گرفتن انعکاس‌های متوالی در موارد مغناطیسی و غیرمغناطیسی پرداخته می‌شود و نتایج مورد نظر ارائه می‌شوند. نتایج نشان می‌دهند که با استفاده از پلاسمای سه لایه ضریب cop را برای پهنای باند زیاد به سمت بهینه آن سوق می‌دهد.

چکیده در این مقاله یک آنتن رکتانا میکرواستریپ با ابعاد بهینه در باند GSM جهت برداشت انرژی Rf و تبدیل آن به انرژی الکتریسیته، پیشنهاد شده است. آنتن پیشنهادی، مدل خاصی از آنتن پاپیونی می‌باشد که مثلث‌های آن به صورت 90 درجه نسبت به هم قرار گرفته‌اند و با کانکتور SMA به صورت دایپل تغذیه می‌شود. ابعاد آنتن 10×10 سانتیمتر با زیر لایه FR4 با ضخامت6/1 میلیمتر است که برای دریافت در باند فرکانسی GSM یعنی 900 و 1800 مگا هرتز طراحی شده است. گین آنتن پیشنهادیdBi 8/1 می‌باشد. مزیت آنتن پیشنهادی نسبت به آنتن های بررسی شده، بالا بودن ضریب بازدهی مدار مبدل RF به DC و کم حجم بودن آن می‌باشد. بطوریکه ضریب بازدهی بدست آمده برای آن 76% است که 12% بیش از نمونه های قبلی است. همچنین حجم اشغال شده توسط ساختار پیشنهادی حداقل 2/87% کمتر از ساختارهای ارائه شده در سایر مراجع برای این باند فرکانسی می‌باشد. از سوی دیگر به دلیل مسطح بودن ساختار پیشنهادی، این آنتن قابلیت بکارگیری در سطوح تخت مانند دیواره یا بدنه اجسام مختلف را دارد درحالی که آنتن‌های پیشنهادی در سایر مراجع 3 بعدی بوده و فاقد این قابلیت می‌باشند.

چکیده هدف اصلی از طراحی سیستم کنترل دمای یک ماهواره، تامین دمای مطلوب برای کارکرد صحیح قطعات و مجموعه ماهواره می‌باشد. با توجه به اینکه ماهواره شرایط سرد و گرم شدیدی در طول ماموریت خود تجربه می‌کند، انتخاب مواد و پوشش‌های سطحی برای آن مشکل می‌شود. طراحی صورت گرفته برای مقابله با شرایط گرم، سبب افزایش توان لازم برای گرم نگه داشتن ماهواره در شرایط سرد شده و این در حالی است که تامین توان گرمایشی مورد نیاز در شرایط سرد برای ماهواره یکی از دغدغه های مهم طراحان می‌باشد. با توجه به محدودیت-های موجود در سیستم‌های فضایی در زمینه تامین انرژی، این توان باید بهینه و در حداقل مقدار ممکن باشد. در این مقاله ابتدا روند طراحی سیستم کنترل دما با استفاده از یک نمونه ماهواره شرح داده می‌شود و در ادامه با استفاده از انتخاب مناسب پوشش‌های حرارتی از بین پنج پوشش حرارتی که در اختیار طراح قرار دارد، طراحی بهینه صورت می‌گیرد. در بهینه سازی از روش برنامه‌ریزی خطی استفاده شده و هدف از بهینه کردن نیز کاهش مقدار توان مصرفی گرمکن در شرایط سرد می‌باشد. نتایج حاصل از شبیه‌سازی نشان می‌دهد که دمای ماهواره در شرایط گرم و سرد در محدوده مجاز دمایی قرار می‌گیرد و با استفاده از این روش، کاهش قابل توجهی در مقدار توان مصرفی گرمکن ایجاد می‌شود.

چکیده در این پژوهش به بررسی عددی انتقال حرارت پره‌ی موتورهای احتراق داخلی مورد استفاده در پهپادها، خودروها و موتورسیکلت‌ها در هندسه‌، پیکربندی‌ و رژیم جریان‌های خنک‌کننده مختلف پرداخته و اولویت استفاده از هر هندسه مورد تحلیل قرار گرفت. جهت تعیین هندسه، شرایط مرزی و شبکه‌بندی از نرم‌افزار گمبیت و جهت تحلیل‌های مربوطه از نرم‌افزار فلوئنت استفاده شد. همچنین برای حل جریان آشفته، از مدل k-ω استاندارد استفاده شد. نتایج نشان داد انتقال حرارت پره‌ها در حالت تکی به حرکت جریان روی سطح و در حالت گروهی، به نفوذ جریان بستگی دارد؛ همچنین در مجاورت جریان آرام و متلاطم، میانگین ضریب انتقال حرارت پره سهمی مقعر نسبت به پره مستطیلی، به‌ترتیب 336 و 24/45 درصد و نسبت به پره مثلثی 8/82 و 4/9 درصد بیشتر بوده و حجم آن نسبت به پره مستطیلی و مثلثی، به‌ترتیب 77/88 و 55/77 درصد کم‌تر می‌باشد. بنابراین، استفاده از پره سهمی محدب در خنک‌کاری تجهیزات سبک وزن، می‌تواند به صورت ویژه‌ای مورد توجه قرار گیرد. بعلاوه، بررسی جنس پره سهمی نشان داد با افزایش طول پره، تاثیر ضریب هدایت حرارتی بر انتقال حرارت افزایش می‌یابد.

چکیده در چند دهه اخیر تحقیقات پژوهشی زیادی بر‌پایه روش‌های تجزیه‌ای گوناگونی در اندازه‎گیری اسید‌های آمینه در نمونه‎های محیطی و بیولوژیکی نظیر سرم خون به‌دلیل نقش مهم آن‌ها در عملکرد اندام‌های حیاتی بدن و نیز تاثیر غیر مستقیم آن بر توان پدافند دفاعی صورت گرفته است. استفاده از روش حسگرهای شیمیایی رنگ‌سنجی به‌دلیل: ساده‌گی روش، گزینش‌پذیری خوب، ارزانی، تجهیزات کم، عدم نیاز به پیش آماده سازی نمونه، قابل استفاده برای همه نمونه‌ها خصوصا نمونه‌های بیولوژیکی و تشخیص با چشم برهنه توجه بسیاری از محققین را جلب کرده است. در این پژوهش از روش رنگ‌سنجی بر پایه آرسنازوتری(2،7 – بیس[(2- آرسنوفنیل) آزو] – 1،8- دی هیدروکسی – 3،6 – نفنالن دی سولفوریک اسید) (به‌عنوان حسگر شیمیایی رنگ‌سنجی) برای تعیین آرژنین در محیط آبی استفاده شد. افزایش آرژنین به محلول آرسنازوتری باعث تغییر رنگ قابل مشاهده از قرمز به بنفش و کاهش جذب در طول موج 536 نانومتر گردید. نقطه‌ی ایزوبستیک در 580 نانومتر مشاهده شد که گویای برهمکنش بین آرسنازوتری و آرژنین می‌باشد. محدوده دینامیکی خطی برای آزمایش جذب UV-Vis 15-340 میکرومول‌بر‌لیتر به‌دست آمد. حد تشخیص نیز به 04/0 میکرومول‌بر‌لیتر محاسبه شد. این روش برای تعیین آرژنین در نمونه‌های محیطی به کار گرفته شد که نتایج رضایت‌بخشی داشت.

چکیده لایه‌های نازک نانوساختار CdSe دوپ شده با نیکل در طول فرآیند رسوب‌گذاری که بر تغییرگذارهای (عبور) اپتیکی حاکم است، بررسی شده اند. غلظت Ni به عنوان ناخالصی در داخل مول به صورت نانوساختار لایه‌های نازک از طریق روش رسوب‌گذاری محلول شیمیایی ساده ساخته شده‌اند. اضافه کردن ناخالصی Ni به CdSe گذارهای جدید مربوط به NiSe در آن ایجاد می کند، به این معنی که غلظت ناچیز یون‌های Ni باعث ایجاد گذار جدید به CdSe می شود که نمونه دارای گاف نواری اپتیکی متعددی است.اگرچه جذب ناشی از ناخالصی را می توان به عنوان جذب در ناحیه گاف نواری زیر سطح اصلی (باند به باند) در نظر گرفت، اما جذب ناشی از داپینگ در لایه های نازک نانوساختار به اندازه جذب داخل گاف نواری نیست و انتقال نوری آنها نوار به باند است.دارای خطوط گسترده و قدرتمند در طیف های جذبی هستند. نظمی در تغییر گاف نواری با افزایش غلظت ناخالصی وجود دارد به طوری که افزایش یون های باعث کاهش گاف نواری اپتیکی بهev 1.59 می شود، گاف نواری اپتیکی برای CdSe در حالت حجیم ev1.74 است، بنابراین روش اضافه کردن ناخالصی فاصله باند نوری CdSe را کاهش می دهد که به طور متوسط روش ناخالصی ساختار جدید را ایجاد می کند. ه می توان انرژی اورباخ نمونه ها را از طیف جذبی بدون نیاز به تعیین ضریب جذب از تعیین ضخامت لایه تعیین کرد. راندمان تخریب برای CdSe خالص 86٪است در حالی که نمونه CdSe دوپ شده با نیکل راندمان تخریب را تا 93٪ افزایش میدهد