نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

• زهرا سیاهکالی ¹
• نادر قبادی ²
• داریوش مهرپرور ¹
• محمد فرخزادی ³

¹ گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ملایر، ملایر، ایران

² دانشگاه ملایر

³ گروه ریاضی، دانشگاه فنی و حرفه ای، تهران، ایران

چکیده

لایه‌های نازک نانوساختار CdSe دوپ شده با نیکل در طول فرآیند رسوب‌گذاری که بر تغییرگذارهای (عبور) اپتیکی حاکم است، بررسی شده اند. غلظت Ni به عنوان ناخالصی در داخل مول به صورت نانوساختار لایه‌های نازک از طریق روش رسوب‌گذاری محلول شیمیایی ساده ساخته شده‌اند. اضافه کردن ناخالصی Ni به CdSe گذارهای جدید مربوط به NiSe در آن ایجاد می کند، به این معنی که غلظت ناچیز یون‌های Ni باعث ایجاد گذار جدید به CdSe می شود که نمونه دارای گاف نواری اپتیکی متعددی است.اگرچه جذب ناشی از ناخالصی را می توان به عنوان جذب در ناحیه گاف نواری زیر سطح اصلی (باند به باند) در نظر گرفت، اما جذب ناشی از داپینگ در لایه های نازک نانوساختار به اندازه جذب داخل گاف نواری نیست و انتقال نوری آنها نوار به باند است.دارای خطوط گسترده و قدرتمند در طیف های جذبی هستند. نظمی در تغییر گاف نواری با افزایش غلظت ناخالصی وجود دارد به طوری که افزایش یون های باعث کاهش گاف نواری اپتیکی بهev 1.59 می شود، گاف نواری اپتیکی برای CdSe در حالت حجیم ev1.74 است، بنابراین روش اضافه کردن ناخالصی فاصله باند نوری CdSe را کاهش می دهد که به طور متوسط روش ناخالصی ساختار جدید را ایجاد می کند. ه می توان انرژی اورباخ نمونه ها را از طیف جذبی بدون نیاز به تعیین ضریب جذب از تعیین ضخامت لایه تعیین کرد. راندمان تخریب برای CdSe خالص 86٪است در حالی که نمونه CdSe دوپ شده با نیکل راندمان تخریب را تا 93٪ افزایش میدهد

کلیدواژه‌ها

• آلایش نیکل
• رسوب محلول شیمیایی
• لایه نازک نانوساختار
• انرژی اورباخ

موضوعات

• مواد پیشرفته (نانو مواد،جاذب، چسبنده‌ها، لغزنده‌ها، آتش‌گیرها و...)

عنوان مقاله [English]

Investigating the Optical Properties of Cadmium Selenide under Nickel Doping

نویسندگان [English]

• Zahra Siahkali ¹
• Nader Ghobadi ²
• Dariush mehrparvar ¹
• Mohammad Farrokhzadi ³

¹ Department of Physics, Faculty of Science, Malayer University, Malayer, Iran

² Mlayer university

³ Department of Mathematics, Technical and Vocational University, Tehran, Iran

چکیده [English]

The Ni doped CdSe nanostructured thin films during deposition procedure that govern altering of the optical transitions have been investigated. Concentration of Ni as doping inside CdSe from 0.03 mol in form of nanostructured thin layers have been fabricated through a simple chemical solution deposition approach. Doping of the Ni to CdSe add the new transitions in related to NiSe, means the tiny concentration of Ni ions create the new transition to CdSe that sample have multiple optical bandgap. Although absorption due to impurity can be considered as absorption inside band gap region below the fundamental (band-to-band) but absorption due to doping in nanostructured thin films aren’t as absorption inside band gap and their optical transitions are band to band so have broad lines and powerful in absorption spectra. There is an order in band gap changing with doping concentration raising so that increasing of the Ni2+ions decreases the optical band gap to 1.59eV although optical band gap for CdSe in bulk state is 1.74eV , so doping procedure decreases optical bandgap of CdSe that is mean doping procedure creates the new structure. It has shown that it’s possible to determine the Urbach energy of the samples from the absorption spectrum without the need to determine the adsorption coefficient from the determination of thickness.

کلیدواژه‌ها [English]

• Ni doping
• chemical solution deposition
• Nanostructure thin film
• Urbach energy