مجله دفاع هوافضایی

چکیده فیلترهای رزوناتور حلقه باز مایکرواستریپ یکی از مهمترین ساختارهای مورد استفاده در طراحی فیلترهای ماکروویو و RF هستند. این رزوناتورها، که در واقع حلقه‌های مستطیلی یا مربع و با یک شکاف(Gap) هستند که به دلیل ویژگی مطلوب آن‌ها به طور گسترده ای در سیستم های مخابراتی مانند سیستم های سلولی، ماهواره ایی و راداری مورد استفاده قرار می گیرند. از جمله مزایای این فیلترها می توان به کوچک سازی، تلفات کم،انعطاف پذیری در طراحی ، ساخت آسان و هزینه کم اشاره نمود. در این مقاله یک فیلتر حلقه باز مایکرواستریپ درجه ۵ با معماری چبی چف و در فرکانس مرکزی ۱۳۰۰ مگاهرتز و با پهنای باند ۲۰۰ مگا هرتز که فواصل بین رزوناتورها با الگوریتم کلونی مورچگان() بهینه سازی شده ارائه می گردد. در این پژوهش یک فیلتر مایکرواستریپ حلقه باز با ابعاد یک دوم طول موج توسط الگوریتم کلونی مورچگان طراحی و باعث بهبود پارامتر S11 حداقل به مقدار 5dB در باند عبور شد.

چکیده طراحی وسایل نقلیه حمل‌ونقل هوایی شهری به دلیل ماهیت چندرشته‌ای و پیچیدگی‌های فنی، با چالش‌های فراوانی در فاز مفهومی و یکپارچه‌سازی زیرسیستم‌ها مواجه است. این پژوهش به‌منظور رفع این چالش، یک چارچوب طراحی سیستمی مبتنی بر مدل V را برای یک تاکسی هوایی بال‌ثابت ارائه می‌دهد. نوآوری اصلی این رویکرد در ایجاد یک فرآیند توسعه ساختاریافته است که از طریق اعتبارسنجی و صحه‌گذاری مداوم در هر مرحله، ردیابی کامل نیازمندی‌ها را تضمین کرده و ریسک عدم تطابق محصول نهایی با الزامات اولیه را تا ۴۰ درصد کاهش می‌دهد. این مدل با یک روش طراحی سنتی مقایسه شد؛ در روش سنتی، رشته‌های مهندسی نظیر آیرودینامیک و پیشرانش به صورت متوالی و با یکپارچگی محدود بهینه‌سازی می‌شوند. این رویکرد غیریکپارچه اغلب به دلیل نادیده گرفتن تقابل‌های کلیدی میان‌رشته‌ای، منجر به عملکردی پایین‌تر از حد بهینه در سطح کلان سامانه می‌گردد. نتایج عددی این مقایسه نشان می‌دهد که طراحی مبتنی بر مدل V به مداومت پروازی ۸۹ دقیقه (۵۶٪ بهبود)، برد ۹۵ کیلومتر (۵۵.۴٪ بهبود) و کاهش ۳۵.۶ درصدی در توان مصرفی کروز دست یافته است. علاوه بر این، این رویکرد منجر به کاهش ۸.۰ درصدی در وزن نهایی و صرفه‌جویی ۲۵.۹ درصدی در هزینه‌های ساخت گردید. این یافته‌ها اثربخشی مدل V را به عنوان یک چارچوب قدرتمند برای توسعه بهینه و قابل‌اتکای سامانه‌های هوایی پیچیده اثبات می‌کند.

چکیده در این پژوهش با ترکیب تحلیل استانداردها، داده‌های عملیاتی نهاجا و مطالعه موردی هواپیماها، عملکرد پوشش‌های ضدخوردگی بررسی شد. نتایج آزمون‌های پلاریزاسیون پتانسیودینامیک و EIS در محلول 3.5% کلرید سدیم نشان داد پوشش اپوکسی حاوی عصاره پوست نارنگی برای آلیاژهای 2024 و 7075 به‌ترتیب 94% و 93٪ بازده حفاظتی دارد. آنالیزهای میکروسکوپی وFTIR پایداری پوشش را تأیید کرده و شبیه‌سازی‌های MD سازوکار جذب مهارکننده را نشان دادند. بر این اساس، دستورالعمل‌هایی برای بازرسی، استفاده از پوشش‌های ضدخوردگی و بهینه‌سازی انبارداری جهت افزایش عمر و آمادگی عملیاتی هواپیماها ارائه شد.

چکیده جاذب‌های الکترومغناطیسی در باند X نقش مهمی در کاهش بازتاب امواج، بهبود امپدانس تطبیق‌ یافته و افزایش کارایی سامانه‌های راداری ایفا می‌کنند. در این پژوهش، یک ساختار سه‌لایه شامل لایه سطحی Graphene/Epoxy، هسته متخلخل CNT/Epoxy و صفحه آلومینیومی پشتی، با ضخامت کل 7 میلی‌متر، طراحی و به‌صورت هم‌زمان با دو رویکرد حل عددی در نرم‌افزار COMSOL و حل تحلیلی مبتنی مدل‌های کلاسیک الکترومغناطیسی ارزیابی شد. نتایج عددی نشان داد که پارامتر کاهش انعکاس در حوالی 9 گیگاهرتز به مقدار تقریبی ‎18.8- دسی‌بل همراه با 98٪ جذب انرژی می‌رسد، در حالی که مدل تحلیلی همان پیک را با مقدار ‎21- دسی‌بل پیش‌بینی کرد. هر دو مدل روند نزدیک به همی را در بازه 12–8 گیگاهرتز نشان دادند؛ با این تفاوت که اختلاف‌ها در لبه‌های باند بیشتر و در ناحیه رزونانس کمتر از 10٪ بودند. تحلیل امپدانس نشان داد که نزدیک‌شدن جزء حقیقی امپدانس مؤثر به مقدار آزادفضا، عامل اصلی کاهش بازتاب در فرکانس رزونانس است. علاوه بر این، تحلیل حساسیت هندسی نشان داد که افزایش ضخامت لایه سطحی موجب جابه‌جایی پیک جذب به حدود 8.5 گیگاهرتز و افزایش ضخامت هسته موجب انتقال آن به حوالی 9.5 گیگاهرتز می‌شود؛ بنابراین کنترل هندسه، ضخامت و خواص لایه‌ها می‌تواند در تنظیم دقیق پاسخ فرکانسی و بهینه‌سازی عملکرد جاذب مؤثر باشد.

چکیده در این کار، لایه‌های نازک نانوساختار سلنید مس (CuSe) با استفاده از یک روش ساده رسوب‌گذاری حمام شیمیایی مبتنی بر محلول ساخته شدند که به دلیل هزینه کم، پیش‌سازهای در دسترس و قابلیت توسعه‌پذیری، از نظر تجاری و نیز برای کاربردهای آشکارسازی هوافضایی جذاب است. در فرآیند رسوب‌گذاری حمام شیمیایی، پارامترهای رشد نقش مهمی در تعیین خواص فیزیکی و الکترونیکی محصول نهایی دارند.علاوه بر غلظت یون‌های سلنیوم، عامل کمپلکس‌ساز نیز یک عامل کلیدی مؤثر بر تشکیل و خواص فیلم است. عامل کمپلکس‌ساز، سرعت آزادسازی یون‌های فلزی در محلول را کنترل می‌کند و در نتیجه، بر استوکیومتری، ریزساختار و ساختار الکترونیکی فیلم‌های رسوب‌شده تأثیر می‌گذارد. مشاهده شد که تغییرات در غلظت عامل کمپلکس‌ساز، انرژی شکاف نواری را به طور قابل توجهی تغییر می‌دهد.به طور خاص، افزایش غلظت عامل کمپلکس‌ساز منجر به کاهش انرژی شکاف نواری می‌شود. این رفتار را می‌توان به افزایش متناظر در غلظت مؤثر یون‌های مس آزاد در محلول نسبت داد که مکانیسم رشد و ساختار الکترونیکی فیلم‌های نازک CuSe را تغییر می‌دهد. بنابراین، عامل کمپلکس‌ساز از طریق تأثیر خود بر غلظت یون فلزی در طول رسوب‌گذاری، نقش اساسی در تنظیم انرژی شکاف نواری ایفا می‌کند؛ موضوعی که می‌تواند در بهینه‌سازی این لایه‌ها برای کاربردهای آشکارسازی هوافضایی حائز اهمیت باشد.