دانشگاه پدافند هوایی خاتم الانبیاء(ص) مجله دفاع هوافضایی 2821-1553 4 3 2025 11 22 Investigating the role of complexing agent in changing the ratio of copper selenide alloy semiconductor for infrared generation in aerospace systems. بررسی نقش عامل کمپلکس‌ساز در تغییر نسبت نیمه‌رسانای آلیاژی سلنید مس برای آشکارسازی مادون‌قرمز در سامانه‌های هوافضایی 89 101 241 FA سمیه چوبین گروه فیزیک دانشکده علوم پایه ، دانشگاه ملایر، ملایر، ایران. نادر قبادی گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ملایرایران محمد صادق عبدی مقصودلو گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه ملایر، ملایر، ایران Journal Article 2026 04 10 In this work, nanostructured copper selenide (CuSe) thin films were fabricated using a simple solution‑based chemical bath deposition method, which is attractive due to its low cost, readily available precursors, and scalability for potential aerospace sensing applications. In the chemical bath deposition process, growth parameters play a crucial role in determining the physical and electronic properties of the final product. In addition to the concentration of selenium ions, the complexing agent is a key factor affecting film formation and properties. The complexing agent controls the release rate of metal ions in the solution and consequently influences the stoichiometry and electronic structure of the deposited films. It was observed that variations in the concentration of the complexing agent significantly modify the band gap energy .Specifically, increasing the concentration of the complexing agent leads to a reduction in the band gap energy. This behavior can be attributed to the corresponding increase in the effective concentration of free copper ions in the solution, which alters the growth mechanism and electronic structure of CuSe thin films. Therefore, the complexing agent, through its influence on the concentration of metal ions during deposition, plays a fundamental role in tuning the band gap energy, which is important for optimizing these thin films for aerospace sensing applications در این کار، لایه‌های نازک نانوساختار سلنید مس (CuSe) با استفاده از یک روش ساده رسوب‌گذاری حمام شیمیایی مبتنی بر محلول ساخته شدند که به دلیل هزینه کم، پیش‌سازهای در دسترس و قابلیت توسعه‌پذیری، از نظر تجاری و نیز برای کاربردهای آشکارسازی هوافضایی جذاب است. در فرآیند رسوب‌گذاری حمام شیمیایی، پارامترهای رشد نقش مهمی در تعیین خواص فیزیکی و الکترونیکی محصول نهایی دارند.علاوه بر غلظت یون‌های سلنیوم، عامل کمپلکس‌ساز نیز یک عامل کلیدی مؤثر بر تشکیل و خواص فیلم است. عامل کمپلکس‌ساز، سرعت آزادسازی یون‌های فلزی در محلول را کنترل می‌کند و در نتیجه، بر استوکیومتری، ریزساختار و ساختار الکترونیکی فیلم‌های رسوب‌شده تأثیر می‌گذارد. مشاهده شد که تغییرات در غلظت عامل کمپلکس‌ساز، انرژی شکاف نواری را به طور قابل توجهی تغییر می‌دهد.به طور خاص، افزایش غلظت عامل کمپلکس‌ساز منجر به کاهش انرژی شکاف نواری می‌شود. این رفتار را می‌توان به افزایش متناظر در غلظت مؤثر یون‌های مس آزاد در محلول نسبت داد که مکانیسم رشد و ساختار الکترونیکی فیلم‌های نازک CuSe را تغییر می‌دهد. بنابراین، عامل کمپلکس‌ساز از طریق تأثیر خود بر غلظت یون فلزی در طول رسوب‌گذاری، نقش اساسی در تنظیم انرژی شکاف نواری ایفا می‌کند؛ موضوعی که می‌تواند در بهینه‌سازی این لایه‌ها برای کاربردهای آشکارسازی هوافضایی حائز اهمیت باشد. https://jasd.khadu.ir/article_241_f340f1b1f65b6df5b5e3f94d95b11daf.pdf