مجله دفاع هوافضایی

چکیده خوردگی حفره‌ای یکی از مخرب‌ترین انواع خوردگی موضعی در آلیاژهای غیرفعال هوافضایی مانند فولاد و آلومینیوم است و حضور یون‌های کلرید موجب تشدید آغاز و رشد این پدیده می‌شود. هدف این پژوهش، سنتز نانوکامپوزیت هیبریدی گرافن کاهش‌یافته و چارچوب فلزی-آلی پایدار و بررسی عملکرد آن در مهار خوردگی حفره‌ای فولاد هوافضایی از طریق ایجاد سازوکارهای سدکنندگی و بازدارندگی فعال است. نانوکامپوزیت هیبریدی گرافن کاهش‌یافته-چارچوب فلزی-آلی پایدار با ساختار هشت‌ضلعی از طریق رشد درجا بر صفحات گرافن کاهش‌یافته سنتز شد و با آزمون‌های طیف‌سنجی رامان، پراش اشعه ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخصه‌یابی گردید. سپس عملکرد مقاومت به خوردگی گرافن کاهش‌یافته، چارچوب فلزی-آلی و نانوکامپوزیت هیبریدی در محلول نمکی 3.5 درصد وزنی با استفاده از آزمون‌های الکتروشیمیایی امپدانس و اندازه‌گیری پلاریزاسیون بررسی شد. نتایج ریزساختاری نشان داد نانوذرات چارچوب فلزی-آلی با مورفولوژی چندوجهی یکنواخت بر سطح گرافن کاهش‌یافته رشد کرده و ساختار هیبریدی پایدار ایجاد کرده‌اند. آزمون‌های امپدانس نشان دادند نانوکامپوزیت هیبریدی بالاترین مقدار مقاومت کل را (4038 اهم.سانتیمتر مربع بعد از 35 ساعت غوطه‌وری) ارائه داد. افزون‌براین، نتایج اندازه‌گیری پلاریزاسیون کاهش چشمگیر چگالی جریان خوردگی و افزایش بازده حفاظت تا ۸۳ درصد را نشان داد. عملکرد برتر این سامانه به اثر هم‌افزای سد فیزیکی گرافن کاهش‌یافته و رهایش کنترل‌شده یون‌های روی و ۲-متیل‌ایمیدازول از چارچوب فلزی-آلی نسبت داده شد که موجب مهار هم‌زمان واکنش‌های آندی و کاتدی شده است.

چکیده شبکه‌های مشبک کامپوزیتی تقویت‌شده با نانوالیاف سیلیس و کربن که با مواد اسفنجی پر شده‌اند، می‌توانند به عنوان نانو ساختارهای سبک‌وزن جاذب رادار به کار روند. در این مقاله، روش محاسباتی مبتنی بر روش ممان دوره‌ای (PMM) برای محاسبه ضرایب بازتاب این شبکه‌های مشبک کامپوزیتی توسعه داده شده و دو مکانیزم مختلف برای کاهش بازتاب در این شبکه‌ها شناسایی شده‌اند. نتایج حاصل از این مکانیزم شیبه سازی شده، بیانگر این است که در فرکانس‌های پایین، ضرایب بازتاب با افزایش کسر حجمی دیواره سلولی شبکه افزایش می‌یابد. در فرکانس‌های بالا، چندین لوب پراش از صفحه دوگانه دوره‌ای دور می‌شوند و ضرایب بازتاب به هر دو کسر حجمی دیواره سلولی و فاصله بین عناصر بستگی دارد.

چکیده در این مقاله، نحوه‌ی تولید هماهنگ دوم در اثر انتشار یک پالس کوتاه لیزر در یک پلاسمای سرد کم چگال در حضور میدان مغناطیسی ویگلر با توجه به اثرات برخورد و انعکاس‌های متوالی مورد بررسی قرار می‌گیرد. با استفاده از پلاسمای غیر مغناطیسی همسانگرد تنها می‌توان هماهنگ فرد تولید نمود به همین جهت می‌توان با اعمال میدان مغناطیسی به‌صورت های مختلف، نیروهای غیر خطی لورنتس را تقویت نمود،که این باعث ایجاد گرادیان عرضی چگالی تعداد الکترونی شده که یکی از عوامل تولید هارمونیک‌های زوج می‌باشد. در ادامه با استفاده از تئوری اختلال مؤلفه‌های میدان الکتریکی هماهنگ اول و دوم را تا مرتبه اول اختلال محاسبه نموده و تأثیر انعکاس‌های متوالی را بر روی دامنه میدان الکتریکی هماهنگ‌های اول و دوم و هم‌چنین بازده توان انعکاسی هماهنگ دوم بررسی کرده و با تجزیه و تحلیل روابط مورد نظر و رسم نمودارهای مورد نظر نتیجه‌گیری صورت می‌گیرد. نهایتاً، رفتار دامنه‌ی میدان هماهنگ‌ها برای اختلال مرتبه‌ی صفر و اول در تیغه پلاسمایی برای حالات مختلف بررسی شده و تغییرات آنها را برحسب پارامترهای مختلف رسم کرده و در مورد نتایج و شرایط بهینه برای کاربردهای مختلف بحث نموده و پیشنهاداتی ارائه می‌نماییم. این فناوری می‌تواند در آینده‌ای نزدیک، تحولی در سیستم‌های لیزری، جنگ الکترونیک، رادارهای پیشرفته، و دفاع هوافضایی ایجاد کند. ترکیب آن با پلاسماهای غیرخطی و میدان مغناطیسی ویگلر امکان تولید و هدایت امواج الکترومغناطیسی را فراهم می‌کند که می‌تواند در مقابله با تهدیدات مدرن مثل موشک‌های هایپرسونیک، پهپادهای مخفی‌کار و سامانه‌های فضایی متخاصم مؤثر باشد.

چکیده طیف امواج الکترومغناطیسی در باند ku تأثیرات زیادی بر تجهیزات و نیروی انسانی دارد. برای محافظت از تجهیزات الکترونیکی در مقابل این طیف از امواج، روش‌های زیادی بکار رفته است. در این مقاله با استفاده از پلاسمای سرد یکنواخت و غیریکنواخت که از سه لایه مستطیلی شکل تشکیل شده است استفاده می‌شود. هر لایه پلاسما دارای پارامترهای تفکیک شده مانند ضخامت، فرکانس برخورد، خاصیت مغناطیسی، چگالی متغیر و زاویه تابش موج می‌باشند. موج ورودی الکترومغناطیسی دارای قطبش p تحت زوایای مختلف در باند ku در نظر گرفته می‌شود. با حل معادلات موج و محاسبه ضریب پذیرفتاری در تک لایه و سه لایه پلاسمایی، مقدار بهینه مجموع جذب و انعکاس محاسبه می‌شود. سپس با استفاده از نرم‌افزار متمتیکا نمودارها برحسب پارامترهای ذکر شده در تیغه تک لایه و تیغه سه لایه رسم می‌شوند و با استفاده از این نمودارها به مقایسه ضریب محافظت cop در حالت‌های تک لایه و سه لایه با در نظر گرفتن انعکاس‌های متوالی در موارد مغناطیسی و غیرمغناطیسی پرداخته می‌شود و نتایج مورد نظر ارائه می‌شوند. نتایج نشان می‌دهند که با استفاده از پلاسمای سه لایه ضریب cop را برای پهنای باند زیاد به سمت بهینه آن سوق می‌دهد.

چکیده در این مقاله ، پژوهشی نوین بر اساس تئوری تابعی چگالی (DFT)، و شبیه سازی محاسبات اصول اولیه، برای بررسی اثرات کرنش فشاری عمودی بر روی خواص نانو ساختار دو بعدی پنتاگرافن  می­باشد. ،در ابتدا، با هدف اعتبارسنجی نتایج این تحقیق ، خواص ساختاری و الکترونی پنتا گرافن در حالت بهینه بررسی گردیده که نتایج حاصل تطابق خوبی با تحقیقات پیشین را نشان می­دهد. بررسی خواص الکترونی پنتا گرافن تحت شرایط کرنش فشاری، نشاندهنده تغییر گاف نوار انرژی از حالت غیر مستقیم به مستقیم می باشد. همچنین بررسی خواص اپتیکی این نانو ساختار دو بعدی  تحت شرایط کرنش فشاری  مطابقت رفتارهای نوری و الکترونی این نانوساختار را نشان می­دهد. با توجه نتایج به‌دست‌آمده در این پژوهش نانو ساختار دو بعدی پنتاگرافن را می توان به عنوان یک ماده مناسب برای طراحی دستگاه های الکترواپتیکی معرفی نمود.

چکیده در این مقاله اسپینل فریت­­های نیکل گرافن ساخته شده­اند. هدف از ساخت این فریت­ها استفاده و بررسی آن­ها بعنوان ماده شیفت­دهنده فاز در باند فرکانسی 2-18 گیگاهرتز است. ابتدا این مواد از طریق روش سنتز هم­رسوبی ساخته شدند. سپس تست­های فیزیکی  این مواد شامل تست­های پراش اشعه ایکس (XRD)، طیف سنجی مادون قرمز (FT-IR)، میکروسکوپ الکترون روبشی (SEM) و هیستوگرام توزیع اندازه ذرات گرفته شدند. پس از آن نیز تست­های شبکه VNA برای این مواد گرفته شد. پارامترهای حقیقی و موهومی گذردهی دی الکتریک و پارامترهای حقیقی و موهومی نفوذپذیری مغناطیسی پس از کدنویسی در نرم­افزار متلب بدست آمدند. تانژانت تلفاتی دی الکتریک و افت بازگشتی نیز برای این مواد بدست آمد. در نهایت عملکرد این مواد در حلقه هیسترزیس با استفاده از تست VSM مورد بررسی قرار گرفت. مواد فریتی ساخته شده پاسخ خوبی را به تست­های مغناطیسی در باند فرکانسی 2 تا 18 گیگاهرتز نشان دادند. نتایج بدست آمده برای پارامترهای اصلی در راستای پارامترهای مورد مطالعه در شیفت دهنده­های رادار نتایج خوبی را براورده ساخت.

چکیده در این کار نقش دما در تغییر شکل هندسی نانوذرات کبالت سلنید که در معرض امواج الکترومغناطیسی در موج‌برها قرار دارد، بررسی شده است. داده‌های آزمایشگاهی نشان داده است که دما نقش تعیین‌کننده‌ای روی اندازه گاف انرژی نواری و شکل هندسی آن‌ها دارد. روش ساده‌ای برای ساخت لایه‌های نانوساختار کبالت سلنید با روش رسوب‌گیری از محلول شیمیائی به‌کار برده شده است. لایه‌های نازک نانوساختار کبالت سلنید با ابزارهای اندازه‌گیری مانند پراش اشعه ایکس جهت تعیین نوع ساختار، EDX برای آنالیز عنصری، میکروسکوپ الکترونی روبشی برای مشاهده ریخت‌شناسی لایه‌ها و اسپکتروسکوپی جذب ناحیه مرئی – فرابنفش برای اندازه‌گیری گاف انرژی نواری مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. تصاویر میکروسکوپ الکترونی تغییر شکل نانوذرات را تحت تأثیر دما به‌خوبی نشان می‌دهد.

چکیده در این مقاله، نحوه‌ی تولید هماهنگ دوم امواج طولی و عرضی در اثر انتشار یک پالس کوتاه لیزر یا لیدار در یک پلاسمای سرد کم چگال و غیرمغناطیسی یکنواخت با توجه به اثرات برخورد موردبررسی قرار می‌گیرد. همچنین اثرات میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی مایل بر این پلاسما مورد تجزیه قرار می‌گیرد. انتشار امواج در پلاسمای همسانگرد موجب تولید هماهنگ‌های فرد می‌شود، ولی با اعمال میدان مغناطیسی ‌می‌توان این همسانگردی را از بین برد و هماهنگ‌های زوج نیز تولید کرد. در ادامه با استفاده از تئوری اختلال مؤلفه‌های میدان الکتریکی هماهنگ اول و دوم را تا مرتبه اول اختلال محاسبه نموده و تأثیر انعکاس‌های متوالی را بر روی دامنه میدان الکتریکی هماهنگ‌های اول و دوم و هم‌چنین بازده توان انعکاسی هماهنگ دوم بررسی کرده و با تجزیه‌وتحلیل روابط موردنظر و رسم نمودارهای موردنظر نتیجه‌گیری صورت می‌گیرد. نهایتاً، رفتار دامنه‌ی میدان هماهنگ‌ها برای اختلال مرتبه‌ی صفر و اول در تیغه پلاسمایی برای حالات مختلف بررسی شده و تغییرات آن‌ها را برحسب پارامترهای مختلف رسم کرده و در مورد نتایج و شرایط بهینه برای کاربردهای مختلف بحث نموده و پیشنهاد‌هایی ارائه می‌نماییم.