الکترومغناطیس و الکترونیک و سایبر الکترومغناطیس (اختلال در امواج، جمینگ، امواج میکروویو قوی و...)
حمیدرضا البرزنیا؛ سید علی حسینی مرادی
دوره 4، شماره 1 ، خرداد 1404
چکیده
شبکههای مشبک کامپوزیتی تقویتشده با نانوالیاف سیلیس و کربن که با مواد اسفنجی پر شدهاند، میتوانند به عنوان نانو ساختارهای سبکوزن جاذب رادار به کار روند. در این مقاله، روش محاسباتی مبتنی بر روش ممان دورهای (PMM) برای محاسبه ضرایب بازتاب این شبکههای مشبک کامپوزیتی توسعه داده شده و دو مکانیزم مختلف برای کاهش بازتاب در این شبکهها ...
بیشتر
شبکههای مشبک کامپوزیتی تقویتشده با نانوالیاف سیلیس و کربن که با مواد اسفنجی پر شدهاند، میتوانند به عنوان نانو ساختارهای سبکوزن جاذب رادار به کار روند. در این مقاله، روش محاسباتی مبتنی بر روش ممان دورهای (PMM) برای محاسبه ضرایب بازتاب این شبکههای مشبک کامپوزیتی توسعه داده شده و دو مکانیزم مختلف برای کاهش بازتاب در این شبکهها شناسایی شدهاند. نتایج حاصل از این مکانیزم شیبه سازی شده، بیانگر این است که در فرکانسهای پایین، ضرایب بازتاب با افزایش کسر حجمی دیواره سلولی شبکه افزایش مییابد. در فرکانسهای بالا، چندین لوب پراش از صفحه دوگانه دورهای دور میشوند و ضرایب بازتاب به هر دو کسر حجمی دیواره سلولی و فاصله بین عناصر بستگی دارد.
پلاسما
سید علی حسینی مرادی
دوره 3، شماره 4 ، اسفند 1403، ، صفحه 43-56
چکیده
در این مقاله، نحوهی تولید هماهنگ دوم در اثر انتشار یک پالس کوتاه لیزر در یک پلاسمای سرد کم چگال در حضور میدان مغناطیسی ویگلر با توجه به اثرات برخورد و انعکاسهای متوالی مورد بررسی قرار میگیرد. با استفاده از پلاسمای غیر مغناطیسی همسانگرد تنها میتوان هماهنگ فرد تولید نمود به همین جهت میتوان با اعمال میدان مغناطیسی بهصورت های ...
بیشتر
در این مقاله، نحوهی تولید هماهنگ دوم در اثر انتشار یک پالس کوتاه لیزر در یک پلاسمای سرد کم چگال در حضور میدان مغناطیسی ویگلر با توجه به اثرات برخورد و انعکاسهای متوالی مورد بررسی قرار میگیرد. با استفاده از پلاسمای غیر مغناطیسی همسانگرد تنها میتوان هماهنگ فرد تولید نمود به همین جهت میتوان با اعمال میدان مغناطیسی بهصورت های مختلف، نیروهای غیر خطی لورنتس را تقویت نمود،که این باعث ایجاد گرادیان عرضی چگالی تعداد الکترونی شده که یکی از عوامل تولید هارمونیکهای زوج میباشد. در ادامه با استفاده از تئوری اختلال مؤلفههای میدان الکتریکی هماهنگ اول و دوم را تا مرتبه اول اختلال محاسبه نموده و تأثیر انعکاسهای متوالی را بر روی دامنه میدان الکتریکی هماهنگهای اول و دوم و همچنین بازده توان انعکاسی هماهنگ دوم بررسی کرده و با تجزیه و تحلیل روابط مورد نظر و رسم نمودارهای مورد نظر نتیجهگیری صورت میگیرد. نهایتاً، رفتار دامنهی میدان هماهنگها برای اختلال مرتبهی صفر و اول در تیغه پلاسمایی برای حالات مختلف بررسی شده و تغییرات آنها را برحسب پارامترهای مختلف رسم کرده و در مورد نتایج و شرایط بهینه برای کاربردهای مختلف بحث نموده و پیشنهاداتی ارائه مینماییم. این فناوری میتواند در آیندهای نزدیک، تحولی در سیستمهای لیزری، جنگ الکترونیک، رادارهای پیشرفته، و دفاع هوافضایی ایجاد کند. ترکیب آن با پلاسماهای غیرخطی و میدان مغناطیسی ویگلر امکان تولید و هدایت امواج الکترومغناطیسی را فراهم میکند که میتواند در مقابله با تهدیدات مدرن مثل موشکهای هایپرسونیک، پهپادهای مخفیکار و سامانههای فضایی متخاصم مؤثر باشد.
شناسایی (استتار، اختفاء، پوشش، فریب، رنگهای نامرئی و...)
سید علی حسینی مرادی؛ حمیدرضا البرزنیا
دوره 2، شماره 2 ، شهریور 1402، ، صفحه 1-16
چکیده
طیف امواج الکترومغناطیسی در باند ku تأثیرات زیادی بر تجهیزات و نیروی انسانی دارد. برای محافظت از تجهیزات الکترونیکی در مقابل این طیف از امواج، روشهای زیادی بکار رفته است. در این مقاله با استفاده از پلاسمای سرد یکنواخت و غیریکنواخت که از سه لایه مستطیلی شکل تشکیل شده است استفاده میشود. هر لایه پلاسما دارای پارامترهای تفکیک شده مانند ...
بیشتر
طیف امواج الکترومغناطیسی در باند ku تأثیرات زیادی بر تجهیزات و نیروی انسانی دارد. برای محافظت از تجهیزات الکترونیکی در مقابل این طیف از امواج، روشهای زیادی بکار رفته است. در این مقاله با استفاده از پلاسمای سرد یکنواخت و غیریکنواخت که از سه لایه مستطیلی شکل تشکیل شده است استفاده میشود. هر لایه پلاسما دارای پارامترهای تفکیک شده مانند ضخامت، فرکانس برخورد، خاصیت مغناطیسی، چگالی متغیر و زاویه تابش موج میباشند. موج ورودی الکترومغناطیسی دارای قطبش p تحت زوایای مختلف در باند ku در نظر گرفته میشود. با حل معادلات موج و محاسبه ضریب پذیرفتاری در تک لایه و سه لایه پلاسمایی، مقدار بهینه مجموع جذب و انعکاس محاسبه میشود. سپس با استفاده از نرمافزار متمتیکا نمودارها برحسب پارامترهای ذکر شده در تیغه تک لایه و تیغه سه لایه رسم میشوند و با استفاده از این نمودارها به مقایسه ضریب محافظت cop در حالتهای تک لایه و سه لایه با در نظر گرفتن انعکاسهای متوالی در موارد مغناطیسی و غیرمغناطیسی پرداخته میشود و نتایج مورد نظر ارائه میشوند. نتایج نشان میدهند که با استفاده از پلاسمای سه لایه ضریب cop را برای پهنای باند زیاد به سمت بهینه آن سوق میدهد.
مواد پیشرفته (نانو مواد،جاذب، چسبندهها، لغزندهها، آتشگیرها و...)
حمیدرضا البرزنیا؛ سید علی حسینی مرادی
دوره 1، شماره 4 ، اسفند 1401، ، صفحه 1-11
چکیده
در این مقاله ، پژوهشی نوین بر اساس تئوری تابعی چگالی (DFT)، و شبیه سازی محاسبات اصول اولیه، برای بررسی اثرات کرنش فشاری عمودی بر روی خواص نانو ساختار دو بعدی پنتاگرافن میباشد. ،در ابتدا، با هدف اعتبارسنجی نتایج این تحقیق ، خواص ساختاری و الکترونی پنتا گرافن در حالت بهینه بررسی گردیده که نتایج حاصل تطابق خوبی با تحقیقات پیشین را ...
بیشتر
در این مقاله ، پژوهشی نوین بر اساس تئوری تابعی چگالی (DFT)، و شبیه سازی محاسبات اصول اولیه، برای بررسی اثرات کرنش فشاری عمودی بر روی خواص نانو ساختار دو بعدی پنتاگرافن میباشد. ،در ابتدا، با هدف اعتبارسنجی نتایج این تحقیق ، خواص ساختاری و الکترونی پنتا گرافن در حالت بهینه بررسی گردیده که نتایج حاصل تطابق خوبی با تحقیقات پیشین را نشان میدهد. بررسی خواص الکترونی پنتا گرافن تحت شرایط کرنش فشاری، نشاندهنده تغییر گاف نوار انرژی از حالت غیر مستقیم به مستقیم می باشد. همچنین بررسی خواص اپتیکی این نانو ساختار دو بعدی تحت شرایط کرنش فشاری مطابقت رفتارهای نوری و الکترونی این نانوساختار را نشان میدهد. با توجه نتایج بهدستآمده در این پژوهش نانو ساختار دو بعدی پنتاگرافن را می توان به عنوان یک ماده مناسب برای طراحی دستگاه های الکترواپتیکی معرفی نمود.
نادر قبادی؛ سید علی حسینی مرادی؛ محمد فرخزادی
دوره 1، شماره 3 ، آذر 1401، ، صفحه 66-82
چکیده
در این مقاله اسپینل فریتهای نیکل گرافن ساخته شدهاند. هدف از ساخت این فریتها استفاده و بررسی آنها بعنوان ماده شیفتدهنده فاز در باند فرکانسی 2-18 گیگاهرتز است. ابتدا این مواد از طریق روش سنتز همرسوبی ساخته شدند. سپس تستهای فیزیکی این مواد شامل تستهای پراش اشعه ایکس (XRD)، طیف سنجی مادون قرمز (FT-IR)، میکروسکوپ الکترون ...
بیشتر
در این مقاله اسپینل فریتهای نیکل گرافن ساخته شدهاند. هدف از ساخت این فریتها استفاده و بررسی آنها بعنوان ماده شیفتدهنده فاز در باند فرکانسی 2-18 گیگاهرتز است. ابتدا این مواد از طریق روش سنتز همرسوبی ساخته شدند. سپس تستهای فیزیکی این مواد شامل تستهای پراش اشعه ایکس (XRD)، طیف سنجی مادون قرمز (FT-IR)، میکروسکوپ الکترون روبشی (SEM) و هیستوگرام توزیع اندازه ذرات گرفته شدند. پس از آن نیز تستهای شبکه VNA برای این مواد گرفته شد. پارامترهای حقیقی و موهومی گذردهی دی الکتریک و پارامترهای حقیقی و موهومی نفوذپذیری مغناطیسی پس از کدنویسی در نرمافزار متلب بدست آمدند. تانژانت تلفاتی دی الکتریک و افت بازگشتی نیز برای این مواد بدست آمد. در نهایت عملکرد این مواد در حلقه هیسترزیس با استفاده از تست VSM مورد بررسی قرار گرفت. مواد فریتی ساخته شده پاسخ خوبی را به تستهای مغناطیسی در باند فرکانسی 2 تا 18 گیگاهرتز نشان دادند. نتایج بدست آمده برای پارامترهای اصلی در راستای پارامترهای مورد مطالعه در شیفت دهندههای رادار نتایج خوبی را براورده ساخت.
مواد پیشرفته (نانو مواد،جاذب، چسبندهها، لغزندهها، آتشگیرها و...)
نادر قبادی؛ سید علی حسینی مرادی
دوره 1، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 32-42
چکیده
در این کار نقش دما در تغییر شکل هندسی نانوذرات کبالت سلنید که در معرض امواج الکترومغناطیسی در موجبرها قرار دارد، بررسی شده است. دادههای آزمایشگاهی نشان داده است که دما نقش تعیینکنندهای روی اندازه گاف انرژی نواری و شکل هندسی آنها دارد. روش سادهای برای ساخت لایههای نانوساختار کبالت سلنید با روش رسوبگیری از محلول شیمیائی ...
بیشتر
در این کار نقش دما در تغییر شکل هندسی نانوذرات کبالت سلنید که در معرض امواج الکترومغناطیسی در موجبرها قرار دارد، بررسی شده است. دادههای آزمایشگاهی نشان داده است که دما نقش تعیینکنندهای روی اندازه گاف انرژی نواری و شکل هندسی آنها دارد. روش سادهای برای ساخت لایههای نانوساختار کبالت سلنید با روش رسوبگیری از محلول شیمیائی بهکار برده شده است. لایههای نازک نانوساختار کبالت سلنید با ابزارهای اندازهگیری مانند پراش اشعه ایکس جهت تعیین نوع ساختار، EDX برای آنالیز عنصری، میکروسکوپ الکترونی روبشی برای مشاهده ریختشناسی لایهها و اسپکتروسکوپی جذب ناحیه مرئی – فرابنفش برای اندازهگیری گاف انرژی نواری مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. تصاویر میکروسکوپ الکترونی تغییر شکل نانوذرات را تحت تأثیر دما بهخوبی نشان میدهد.
نور و لیزر (رادارهای لیزری، شنود لیزری، لیزر قدرت و...)
سید علی حسینی مرادی؛ حسن رنجبر عسکری؛ مجتبی رحیمی؛ نادر قبادی
دوره 1، شماره 1 ، خرداد 1401، ، صفحه 36-47
چکیده
در این مقاله، نحوهی تولید هماهنگ دوم امواج طولی و عرضی در اثر انتشار یک پالس کوتاه لیزر یا لیدار در یک پلاسمای سرد کم چگال و غیرمغناطیسی یکنواخت با توجه به اثرات برخورد موردبررسی قرار میگیرد. همچنین اثرات میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی مایل بر این پلاسما مورد تجزیه قرار میگیرد. انتشار امواج در پلاسمای همسانگرد موجب تولید هماهنگهای ...
بیشتر
در این مقاله، نحوهی تولید هماهنگ دوم امواج طولی و عرضی در اثر انتشار یک پالس کوتاه لیزر یا لیدار در یک پلاسمای سرد کم چگال و غیرمغناطیسی یکنواخت با توجه به اثرات برخورد موردبررسی قرار میگیرد. همچنین اثرات میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی مایل بر این پلاسما مورد تجزیه قرار میگیرد. انتشار امواج در پلاسمای همسانگرد موجب تولید هماهنگهای فرد میشود، ولی با اعمال میدان مغناطیسی میتوان این همسانگردی را از بین برد و هماهنگهای زوج نیز تولید کرد. در ادامه با استفاده از تئوری اختلال مؤلفههای میدان الکتریکی هماهنگ اول و دوم را تا مرتبه اول اختلال محاسبه نموده و تأثیر انعکاسهای متوالی را بر روی دامنه میدان الکتریکی هماهنگهای اول و دوم و همچنین بازده توان انعکاسی هماهنگ دوم بررسی کرده و با تجزیهوتحلیل روابط موردنظر و رسم نمودارهای موردنظر نتیجهگیری صورت میگیرد. نهایتاً، رفتار دامنهی میدان هماهنگها برای اختلال مرتبهی صفر و اول در تیغه پلاسمایی برای حالات مختلف بررسی شده و تغییرات آنها را برحسب پارامترهای مختلف رسم کرده و در مورد نتایج و شرایط بهینه برای کاربردهای مختلف بحث نموده و پیشنهادهایی ارائه مینماییم.
